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Datasheet > 放大器电路 > 运算放大器> ADA4666-2ARMZ
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ADA4666-2ARMZ

更新时间： 2024-02-25 11:05:17
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 运算放大器放大器电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
32页 896K
描述
18 V, 725 A, 4 MHz CMOS RRIO Operational Amplifier

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ADA4666-2ARMZ 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：TSSOP,
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.31.00.01
风险等级：1.01放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：0.00075 µA标称共模抑制比：90 dB
最大输入失调电压：3500 µVJESD-30 代码：S-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：3 mm
湿度敏感等级：1功能数量：2
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
座面最大高度：1.1 mm标称压摆率：1.8 V/us
子类别：Operational Amplifier供电电压上限：20.5 V
标称供电电压 (Vsup)：10 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30标称均一增益带宽：4000 kHz
宽度：3 mmBase Number Matches：1

ADA4666-2ARMZ 数据手册

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Data Sheet  
ADA4666-2  
SPECIFICATIONS  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—18 V OPERATION  
VSY = 18 V, VCM = VSY/ 2 V, T A = 25°C, unless otherwise specified.  
Table 2.  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions/Comments  
Min  
Typ  
Max Unit  
INPUT CHARACTERISTICS  
Offset Voltage  
VOS  
0.5  
2.2  
2.2  
3.5  
3.1  
15  
100  
900  
11  
mV  
mV  
mV  
μV/°C  
pA  
pA  
pA  
pA  
pA  
pA  
V
VCM = 0 V to 18 V  
VCM = 0 V to 18 V; −40°C ≤ TA ≤ +125°C  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
Offset Voltage Drift  
Input Bias Current  
ΔVOS/ΔT  
IB  
0.6  
0.5  
−40°C ≤ TA ≤ +85°C  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
Input Offset Current  
IOS  
−40°C ≤ TA ≤ +85°C  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
30  
300  
18  
Input Voltage Range  
0
Common-Mode Rejection Ratio  
CMRR  
AVO  
VCM = 0 V to 18 V  
80  
77  
120  
120  
95  
dB  
dB  
dB  
dB  
VCM = 0 V to 18 V; −40°C ≤ TA ≤ +125°C  
RL = 100 kΩ, VO = 0.5 V to 17.5 V  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
Large Signal Voltage Gain  
147  
Input Resistance  
Differential Mode  
Common Mode  
RINDM  
RINCM  
>10  
>10  
GΩ  
GΩ  
Input Capacitance  
Differential Mode  
Common Mode  
CINDM  
CINCM  
8.5  
3
pF  
pF  
OUTPUT CHARACTERISTICS  
Output Voltage High  
VOH  
RL = 10 kΩ to VCM  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
RL = 1 kΩ to VCM  
17.95 17.97  
17.94  
V
V
V
17.6  
17.79  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
RL = 10 kΩ to VCM  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
RL = 1 kΩ to VCM  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
Dropout voltage = 1 V  
Pulse width = 10 ms; refer to the Maximum  
Power Dissipation section  
17.58  
V
Output Voltage Low  
VOL  
14  
25  
40  
200  
300  
mV  
mV  
mV  
mV  
mA  
mA  
120  
Continuous Output Current  
Short-Circuit Current  
IOUT  
ISC  
40  
220  
Closed-Loop Output Impedance  
POWER SUPPLY  
Power Supply Rejection Ratio  
ZOUT  
PSRR  
ISY  
f = 100 kHz, AV = 1  
0.2  
Ω
VSY = 3.0 V to 18 V  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
IOUT = 0 mA  
120  
120  
145  
630  
dB  
dB  
µA  
µA  
Supply Current per Amplifier  
725  
975  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
DYNAMIC PERFORMANCE  
Slew Rate  
Gain Bandwidth Product  
Unity-Gain Crossover  
−3 dB Closed-Loop Bandwidth  
Phase Margin  
SR  
RS = 1 kΩ, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AV = 1  
2
4
4
2.1  
60  
1.3  
V/µs  
MHz  
MHz  
MHz  
Degrees  
µs  
GBP  
UGC  
f−3 dB  
ΦM  
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AV = 100  
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AVO = 1  
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AV = 1  
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AVO = 1  
VIN = 1 V step, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF  
Settling Time to 0.1%  
tS  
Rev. 0 | Page 3 of 32  
 
 
 
1234567...32

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