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ADA4666-2ACPZ-R7

更新时间： 2024-01-21 09:12:47

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亚德诺 - ADI		运算放大器
页数	文件大小	规格书
32页	896K
描述
18 V, 725 A, 4 MHz CMOS RRIO Operational Amplifier

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ADA4666-2ACPZ-R7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	HVSON,
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.31.00.01
风险等级：	1.73	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.00075 µA	标称共模抑制比：	90 dB
最大输入失调电压：	3500 µV	JESD-30 代码：	S-PDSO-N8
JESD-609代码：	e3	长度：	3 mm
湿度敏感等级：	3	功能数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HVSON	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	座面最大高度：	0.85 mm
标称压摆率：	1.8 V/us	子类别：	Operational Amplifier
供电电压上限：	20.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	10 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	标称均一增益带宽：	4000 kHz
宽度：	3 mm	Base Number Matches：	1

ADA4666-2ACPZ-R7 数据手册

ADA4666-2

Data Sheet

Parameter

Symbol

EMIRR

Test Conditions/Comments

Min

Typ

Max Unit

Channel Separation

EMI Rejection Ratio of +IN x

f = 400 MHz

f = 900 MHz

f = 1800 MHz

V_IN= 17.9 V p-p, f = 10 kHz, R_L= 10 kΩ

V_IN= 100 mV peak (200 mV p-p)

f = 2400 MHz

NOISE PERFORMANCE

Total Harmonic Distortion Plus Noise THD + N A_V= 1, V_IN= 5.4 V rms at 1 kHz

Bandwidth = 80 kHz

Bandwidth = 500 kHz

Peak-to-Peak Noise

0.0004

0.0008

µV p-p

nV/√Hz

fA/√Hz

e_np-p

e_n

f = 0.1 Hz to 10 Hz

f = 1 kHz

f = 10 kHz

Voltage Noise Density

Current Noise Density

i_n

f = 1 kHz

360

Rev. 0 | Page 4 of 32

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