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AD8572ARZ PDF预览

AD8572ARZ

更新时间： 2024-02-06 14:37:25
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 运算放大器放大器电路光电二极管斩波器PC
页数 文件大小 规格书
24页 528K
描述
Zero-Drift, Single-Supply, Rail-to-Rail Input/Output Operational Amplifiers

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AD8572ARZ 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：ROHS COMPLIANT, MS-012AA, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：0.73
Is Samacsys：N放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：CHOPPER-STAB最大平均偏置电流 (IIB)：0.004 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.00005 µA标称共模抑制比：130 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：10 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm低-偏置：YES
低-失调：YES微功率：NO
湿度敏感等级：1功能数量：2
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
功率：NO电源：2.7/5 V
可编程功率：NO认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm标称压摆率：0.4 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：2.14 mA
供电电压上限：6 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
标称均一增益带宽：1500 kHz最小电压增益：178000
宽带：NO宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

AD8572ARZ 数据手册

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AD8571/AD8572/AD8574  
SPECIFICATIONS  
5 V ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
VS = 5 V, VCM = 2.5 V, VO = 2.5 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.  
Table 1.  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
INPUT CHARACTERISTICS  
Offset Voltage  
VOS  
IB  
1
5
μV  
μV  
pA  
nA  
pA  
nA  
pA  
pA  
pA  
pA  
V
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
10  
50  
1.5  
300  
4
70  
200  
150  
400  
5
Input Bias Current  
AD8571/AD8574  
AD8572  
10  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
−40°C ≤ TA ≤ +85°C  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
1.0  
160  
2.5  
20  
150  
30  
Input Offset Current  
AD8571/AD8574  
AD8572  
IOS  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
−40°C ≤ TA ≤ +85°C  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
150  
Input Voltage Range  
0
Common-Mode Rejection Ratio  
CMRR  
AVO  
VCM = 0 V to 5 V  
120  
115  
125  
120  
140  
130  
145  
135  
0.005  
dB  
dB  
dB  
dB  
μV/°C  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
RL = 10 kΩ, VO = 0.3 V to 4.7 V  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
Large Signal Voltage Gain1  
Offset Voltage Drift  
OUTPUT CHARACTERISTICS  
Output Voltage High  
∆VOS/∆T  
VOH  
0.04  
RL = 100 kΩ to GND  
RL = 100 kΩ to GND @ −40°C to +125°C 4.99  
RL = 10 kΩ to GND  
RL = 10 kΩ to GND @ −40°C to +125°C  
RL = 100 kΩ to V+  
RL = 100 kΩ to V+ @ −40°C to +125°C  
RL = 10 kΩ to V+  
RL = 10 kΩ to V+ @ −40°C to +125°C  
4.99  
4.998  
4.997  
4.98  
4.975  
1
2
10  
15  
50  
V
V
V
V
mV  
mV  
mV  
mV  
mA  
mA  
mA  
mA  
4.95  
4.95  
Output Voltage Low  
VOL  
10  
10  
30  
30  
Short-Circuit Limit  
Output Current  
ISC  
IO  
25  
−40°C to +125°C  
−40°C to +125°C  
40  
30  
15  
POWER SUPPLY  
Power Supply Rejection Ratio  
PSRR  
ISY  
VS = 2.7 V to 5.5 V  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
VO = 0 V  
120  
115  
130  
130  
850  
1000  
dB  
dB  
μA  
μA  
Supply Current/Amplifier  
975  
1075  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
DYNAMIC PERFORMANCE  
Slew Rate  
Overload Recovery Time  
Gain Bandwidth Product  
NOISE PERFORMANCE  
Voltage Noise  
SR  
RL = 10 kΩ  
0.4  
0.05  
1.5  
V/μs  
ms  
MHz  
0.3  
GBP  
en p-p  
0 Hz to 10 Hz  
0 Hz to 1 Hz  
f = 1 kHz  
1.3  
0.41  
51  
μV p-p  
μV p-p  
nV/√Hz  
fA/√Hz  
Voltage Noise Density  
Current Noise Density  
en  
in  
f = 10 Hz  
2
1 Gain testing is dependent upon test bandwidth.  
Rev. C | Page 3 of 24  
 
1234567...24

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