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AD8512ARMZ

更新时间: 2024-02-26 18:14:14
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亚德诺 - ADI 运算放大器放大器电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
20页 435K
描述
Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current

AD8512ARMZ 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP8,.25针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.31.00.01风险等级:0.89
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.01 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.00008 µA
标称共模抑制比:100 dB频率补偿:YES
最大输入失调电压:800 µVJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:4.9 mm
低-偏置:YES低-失调:YES
微功率:NO湿度敏感等级:1
负供电电压上限:-18 V标称负供电电压 (Vsup):-5 V
功能数量:2端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
功率:NO电源:+-5/+-15 V
可编程功率:NO认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm标称压摆率:20 V/us
子类别:Operational Amplifier最大压摆率:5 mA
供电电压上限:18 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:JFET
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
标称均一增益带宽:8000 kHz宽带:NO
宽度:3.9 mmBase Number Matches:1

AD8512ARMZ 数据手册

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AD8510/AD8512/AD8513  
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS  
120  
100k  
10k  
1k  
V
= ±15V  
SY  
= 25°C  
V
= ±5V, ±15V  
SY  
T
A
100  
80  
60  
40  
20  
100  
10  
0
1
–0.5 –0.4 –0.3 –0.2 –0.1  
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5  
–40 –25 –10  
5
20  
35  
50  
65  
80  
95 110 125  
INPUT OFFSET VOLTAGE (mV)  
TEMPERATURE (°C)  
Figure 7. Input Offset Voltage Distribution  
Figure 10. Input Bias Current vs. Temperature  
30  
25  
20  
1000  
100  
V
= ±15V  
SY  
B GRADE  
±15V  
15  
10  
10  
1
±5V  
5
0
0.1  
0
1
2
3
4
5
6
–40 –25 –10  
5
20  
35  
50  
65  
80  
95 110 125  
T V  
C
(µV/°C)  
OS  
TEMPERATURE (°C)  
Figure 11. Input Offset Current vs. Temperature  
Figure 8. AD8510/AD8512 TCVOS Distribution  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
30  
25  
20  
V
= ±15V  
T
A
= 25°C  
SY  
A GRADE  
15  
10  
5
0
0
8
13  
18  
23  
28  
30  
0
1
2
3
4
5
6
SUPPLY VOLTAGE (V+ – V– )  
T
C
V
OS  
(µV/°C)  
Figure 9. AD8510/AD8512 TCVOS Distribution  
Figure 12. Input Bias Current vs. Supply Voltage  
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