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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.25 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.31.00.01 | 风险等级： | 0.89 |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.01 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.00008 µA |
| 标称共模抑制比： | 100 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 800 µV | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 4.9 mm |
| 低-偏置： | YES | 低-失调： | YES |
| 微功率： | NO | 湿度敏感等级： | 1 |
| 负供电电压上限： | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -5 V |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 功率： | NO | 电源： | +-5/+-15 V |
| 可编程功率： | NO | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 标称压摆率： | 20 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier | 最大压摆率： | 5 mA |
| 供电电压上限： | 18 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | JFET |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 标称均一增益带宽： | 8000 kHz | 宽带： | NO |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AD8512ARM-R2 | ADI | Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifi |
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| AD8512ARM-REEL | ADI | Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifi |
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| AD8512ARMZ | ADI | Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current |
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| AD8512ARMZ | ROCHESTER | DUAL OP-AMP, 1800uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, PDSO8, ROHS COMPLIANT, MO-187AA, MSOP-8 |
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| AD8512ARMZ-R2 | ADI | Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifi |
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| AD8512ARMZ-REEL | ADI | Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifi |
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