AD842KQ

更新时间： 2024-01-11 19:13:39

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亚德诺 - ADI		运算放大器
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10页	477K
描述
Wideband, High Output Current, Fast Settling Op Amp

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AD842KQ 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-05-01 14:56:26.37	是否无铅：	含铅
是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP14,.3
针数：	14	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.31.00.01
风险等级：	7.98	Is Samacsys：	N
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	架构：	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：	12 µA	25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	8 µA
最小共模抑制比：	86 dB	标称共模抑制比：	115 dB
频率补偿：	YES (AVCL>=2)	最大输入失调电压：	3500 µV
JESD-30 代码：	R-GDIP-T14	JESD-609代码：	e0
长度：	19.43 mm	低-失调：	NO
负供电电压上限：	-18 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
功能数量：	1	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP14,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
电源：	+-5/+-15 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最小摆率：	300 V/us
标称压摆率：	375 V/us	子类别：	Operational Amplifier
最大压摆率：	19 mA	供电电压上限：	18 V
标称供电电压 (Vsup)：	15 V	表面贴装：	NO
技术：	BIPOLAR	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	标称均一增益带宽：	80000 kHz
最小电压增益：	40000	宽带：	YES
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

AD842KQ 数据手册

AD842

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS¹

NOTES

¹Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-

nent damage to the device. This is a stress rating only; functional operation of the

device at these or any other conditions above those indicated in the operational

section of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating

conditions for extended periods may affect device reliability.

Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 V

Internal Power Dissipation²

Plastic (N) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3 W

Cerdip (Q) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1 W

TO-8 (H) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3 W

SOIC (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3 W

LCC (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0 W

Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V_S

Differential Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 V

Storage Temperature Range

Q, H, E . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +150°C

N, R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +125°C

Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C

Lead Temperature Range (Soldering 60 sec) . . . . . . . . +300°C

²Maximum internal power dissipation is specified so that T_Jdoes not exceed

+150°C at an ambient temperature of +25°C.

Thermal Characteristics:

θ_JC

θ_JA

θ_SA

Plastic Package

Cerdip Package

TO-8 Package

16-Lead SOIC Package 30°C/W

20-Lead LCC Package 35°C/W

30°C/W

100°C/W

110°C/W

100°C/W

150°C/W

38°C/W

27°C/W

METALIZATION PHOTOGRAPH

Contact factory for latest dimensions.

Dimensions shown in inches and (mm).

REV. E

–3–

1 234 5 6 7...10

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