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AD8132ARMZ-REEL

更新时间： 2024-02-06 22:51:17

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亚德诺 - ADI		运算放大器放大器电路光电二极管
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32页	441K
描述
Low Cost, High Speed Differential Amplifier

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AD8132ARMZ-REEL 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.31.00.01	风险等级：	1.67
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	最大平均偏置电流 (IIB)：	7 µA
标称共模抑制比：	70 dB	最大输入失调电压：	3500 µV
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	湿度敏感等级：	1
负供电电压上限：	-5.5 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-5 V
功能数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	标称压摆率：	1200 V/us
子类别：	Operational Amplifier	供电电压上限：	5.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	BIPOLAR	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

AD8132ARMZ-REEL 数据手册

AD8132

D_INTO OUT SPECIFICATIONS

At T_A= 25°C, V_S= 5 V, V_OCM= 2.5 V, G = 1, R_{L, dm}= 499 Ω, R_F= R_G= 348 Ω, unless otherwise noted. For G = 2, R_{L, dm}= 200 Ω, R_F= 1000 Ω,

R_G= 499 Ω. Refer to Figure 56 and Figure 57 for test setup and label descriptions. All specifications refer to single-ended input and

differential outputs, unless otherwise noted.

Table 3.

Parameter

Conditions

Min Typ

Max Unit

DYNAMIC PERFORMANCE

−3 dB Large Signal Bandwidth

V_OUT= 2 V p-p

V_OUT= 2 V p-p, G = 2

V_OUT= 0.2 V p-p

V_OUT= 0.2 V p-p, G = 2

V_OUT= 0.2 V p-p

V_OUT= 0.2 V p-p, G = 2

V_OUT= 2 V p-p

250

300

180

360

155

1000

MHz

V/μs

−3 dB Small Signal Bandwidth

Bandwidth for 0.1 dB Flatness

Slew Rate

Settling Time

Overdrive Recovery Time

NOISE/HARMONIC PERFORMANCE

Second Harmonic

800

0.1%, V_OUT= 2 V p-p

V_IN= 2.5 V to 0 V step, G = 2

V_OUT= 2 V p-p, 1 MHz, R_{L, dm}= 800 Ω

V_OUT= 2 V p-p, 5 MHz, R_{L, dm}= 800 Ω

V_OUT= 2 V p-p, 20 MHz, R_{L, dm}= 800 Ω

V_OUT= 2 V p-p, 1 MHz, R_{L, dm}= 800 Ω

V_OUT= 2 V p-p, 5 MHz, R_{L, dm}= 800 Ω

V_OUT= 2 V p-p, 20 MHz, R_{L, dm}= 800 Ω

20 MHz, R_{L, dm}= 800 Ω

−97

−100

−74

−100

−99

−67

−76

dBc

dBm

Third Harmonic

IMD

IP3

20 MHz, R_{L, dm}= 800 Ω

Input Voltage Noise (RTI)

Input Current Noise

Differential Gain Error

Differential Phase Error

INPUT CHARACTERISTICS

Offset Voltage (RTI)

f = 0.1 MHz to 100 MHz

NTSC, G = 2, R_{L, dm}= 150 Ω

1.8

0.025

0.15

nV/√Hz

pA/√Hz

Degrees

V_{OS, dm}= V_{OUT, dm}/2; V_DIN+= V_DIN−= V_OCM= 2.5 V

T_MINto T_MAXvariation

1.0

3.5 mV

μV/°C

μA

MΩ

Input Bias Current

Input Resistance

Differential

Common-mode

Input Capacitance

Input Common-Mode Voltage

CMRR

0.3 to 3.0

−70

ΔV_{OUT, dm}/ΔV_{IN, cm}; ΔV_{IN, cm}= 1 V; resistors matched to 0.01%

Maximum ΔV_OUT; single-ended output

−60

OUTPUT CHARACTERISTICS

Output Voltage Swing

Output Current

1.0 to 4.0

−68

Output Balance Error

ΔV_{OUT, cm}/ΔV_{OUT, dm}; ΔV_{OUT, dm}= 1 V

Rev. F | Page 5 of 32

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