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AD8012AR

更新时间: 2024-02-21 13:18:19
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亚德诺 - ADI 放大器
页数 文件大小 规格书
15页 417K
描述
Dual 350 MHz Low Power Amplifier

AD8012AR 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.31.00.01风险等级:1.65
Is Samacsys:N放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB):15 µA标称共模抑制比:60 dB
最大输入失调电压:4000 µVJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:4.9 mm
湿度敏感等级:1负供电电压上限:-6.3 V
标称负供电电压 (Vsup):-5 V功能数量:2
端子数量:8最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
标称压摆率:2250 V/us子类别:Operational Amplifier
供电电压上限:6.3 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:BIPOLAR
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:3.9 mmBase Number Matches:1

AD8012AR 数据手册

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Typical Performance Characteristics–  
AD8012  
750⍀  
750⍀  
750⍀  
750⍀  
V
V
OUT  
V
IN  
OUT  
R
L
R
L
53.6⍀  
V
IN  
+V  
+V  
–V  
S
S
S
49.9⍀  
+
+
+
+
0.1F  
0.1F  
10F  
10F  
0.1F  
0.1F  
10F  
10F  
–V  
S
Figure 4. Test Circuit; Gain = +2  
Figure 7. Test Circuit; Gain = –1  
20mV  
5ns  
5ns  
20mV  
Figure 5.* 100 mV Step Response; G = +2, VS = ±2.5 V or  
±5 V, RL = 1 kΩ  
Figure 8.* 100 mV Step Response; G = –1, VS = ±2.5 V or  
±5 V, RL = 1 kΩ  
1V  
10ns  
1V  
10ns  
Figure 6. 4 V Step Response; G = +2, VS = ±5 V, RL = 1 kΩ  
Figure 9. 4 V Step Response; G = –1, VS = ±5 V, RL = 1 kΩ  
*NOTE: VS = ± 2.5 V operation is identical to VS = +5 V single supply operation.  
REV. A  
–5–  

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