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AD648SQ PDF预览

AD648SQ

更新时间： 2024-01-09 04:36:43
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 运算放大器放大器电路
页数 文件大小 规格书
12页 337K
描述
Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp

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AD648SQ 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：CERDIP-8针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.04
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：0.000015 µA
最大输入失调电压：2000 µVJESD-30 代码：R-GDIP-T8
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：NOT APPLICABLE
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：2端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED座面最大高度：5.08 mm
标称压摆率：1.8 V/us子类别：Operational Amplifier
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：NO技术：BIPOLAR
温度等级：MILITARY端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：1000 kHz宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

AD648SQ 数据手册

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AD648  
NOT ES  
1Input Offset Voltage specifications are guaranteed after 5 minutes of operation at T A = +25°C.  
2Bias Current specifications are guaranteed maximum at either input after 5 minutes of operation at T = +25°C. For higher temperature, the current doubles  
A
every 10°C.  
3Matching is defined as the difference between parameters of the two amplifiers.  
4Defined as voltages between inputs, such that neither exceeds ±10 V from ground.  
Specifications subject to change without notice.  
ABSO LUTE MAXIMUM RATINGS1  
Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±18 V  
Internal Power Dissipation2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500 mW  
Input Voltage3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±18 V  
Output Short Circuit Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . Indefinite  
Differential Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . +VS and –VS  
Storage T emperature Range (Q, H) . . . . . . . . –65°C to +150°C  
Storage T emperature Range (N, R) . . . . . . . . –65°C to +125°C  
Operating T emperature Range  
AD648J/K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to +70°C  
AD648A/B/C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40°C to +85°C  
AD648S/T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55°C to +125°C  
Lead T emperature Range (Soldering 60 sec) . . . . . . . . +300°C  
NOT ES  
1Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause  
permanent damage to the device. T his is a stress rating only and functional  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the  
operational section of this specification is not implied. Exposure to absolute  
maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.  
2T hermal Characteristics:  
8-Pin Plastic Package: θJA = 165°C/Watt  
8-Pin Cerdip Package: θJC = 22°C/Watt; θJA = 110°C/Watt  
8-Pin Metal Package: θJC = 65°C/Watt; θJA = 150°C/Watt  
8-Pin SOIC Package: θJC = 42°C/Wat; θJA = 160°C/Watt  
3For supply voltages less than ±18 V, the absolute maximum input voltage is equal  
to the supply voltage.  
METALIZATIO N P H O TO GRAP H  
Contact factory for latest dimensions.  
D imensions shown in inches and (mm).  
CAUTIO N  
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily  
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection.  
Although the AD648 features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may  
occur on devices subjected to high energy electrostatic discharges. T herefore, proper ESD  
precautions are recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.  
WARNING!  
ESD SENSITIVE DEVICE  
REV. C  
–3–  
1234567...12

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