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AD5258BRMZ50-R7

更新时间： 2024-02-24 06:05:39

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亚德诺 - ADI		电位器
页数	文件大小	规格书
24页	534K
描述
Nonvolatile, I2C-Compatible 64-Position, Digital Potentiometer

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AD5258BRMZ50-R7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	TSSOP, TSSOP10,.19,20	针数：	10
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.32
其他特性：	NONVOLATILE MEMORY	标称带宽：	0.19 kHz
控制接口：	2-WIRE SERIAL	转换器类型：	DIGITAL POTENTIOMETER
JESD-30 代码：	S-PDSO-G10	JESD-609代码：	e3
长度：	3 mm	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	位置数：	64
端子数量：	10	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP10,.19,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	电阻定律：	LINEAR
最大电阻容差：	30%	最大电阻器端电压：	5.5 V
最小电阻器端电压：		座面最大高度：	1.1 mm
子类别：	Digital Potentiometers	标称供电电压：	3 V
表面贴装：	YES	标称温度系数：	200 ppm/ °C
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
标称总电阻：	50000 Ω	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

AD5258BRMZ50-R7 数据手册

Data Sheet

AD5258

TIMING CHARACTERISTICS

V_DD= V_LOGIC= 5 V 10%, or 3 V 10%; V_A= V_DD; V_B= 0 V; −40°C < T_A< +85°C, unless otherwise noted.

Table 2.

Parameter

Symbol

Conditions

Min Typ Max Unit

I²C INTERFACE TIMING CHARACTERISTICS

SCL Clock Frequency

t_BUFBus-Free Time Between Stop and Start

t_HD;STAHold Time (Repeated start)

f_SCL

t₁

t₂

1.3

0.6

400

kHz

µs

After this period, the first clock pulse is

generated.

t_LOWLow Period of SCL Clock

t_HIGHHigh Period of SCL Clock

t_SU;STASetup Time for Repeated Start Condition

t_HD;DATData Hold Time

t_SU;DATData Setup Time

t₃

t₄

t₅

t₆

t₇

t₈

t₉

t₁₀

1.3

0.6

µs

0.9

100

t_FFall Time of Both SDA and SCL Signals

t_RRise Time of Both SDA and SCL Signals

t_SU;STOSetup Time for Stop Condition

EEPROM Data Storing Time

300

0.6

t_{EEMEM_STORE}

300

EEPROM Data Restoring Time at Power On¹

t_{EEMEM_RESTORE1}V_DDrise time dependant. Measure with-

out decoupling capacitors at V_DDand GND.

EEPROM Data Restoring Time upon Restore

Command¹

t_{EEMEM_RESTORE2}V_DD= 5 V.

300

540

µs

EEPROM Data Rewritable Time²

FLASH/EE MEMORY RELIABILITY

Endurance³

t_{EEMEM_REWRITE}

100 700

100

kCycles

Years

Data Retention⁴

¹During power-up, the output is momentarily preset to midscale before restoring EEPROM content.

²Delay time after power-on preset prior to writing new EEPROM data.

³Endurance is qualified to 100,000 cycles per JEDEC Std. 22 Method A117 and is measured at −40°C, +25°C, and +85°C; typical endurance at +25°C is 700,000 cycles.

⁴Retention lifetime equivalent at junction temperature (T_J) = 55°C per JEDEC Std. 22, Method A117. Retention lifetime based on an activation energy of 0.6 eV derates

with junction temperature.

t₆

t₈

t₉

SCL

t₁₀

t₅

t₇

t₄

t₂

t₃

t₉

t₈

t₁

SDA

Figure 3. I²C Interface Timing Diagram

Rev. D | Page 5 of 24

1 2 3 456 7 8...24

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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