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Datasheet > 转换器 > 数字电位计> AD5252BRUZ10-RL7
AD5252BRUZ10-RL7 PDF预览

AD5252BRUZ10-RL7

更新时间： 2024-02-11 06:31:55
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 转换器电位器数字电位计存储电阻器光电二极管
页数 文件大小 规格书
28页 575K
描述
Dual 64-/256-Position I2C Nonvolatile Memory Digital Potentiometers

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AD5252BRUZ10-RL7 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP14,.25针数：14
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：1.13
Is Samacsys：N其他特性：NONVOLATILE MEMORY; DEVICE SUPPORTS DUAL SUPPLY OPERATION
标称带宽：0.4 kHz控制接口：2-WIRE SERIAL
转换器类型：DIGITAL POTENTIOMETERJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e3长度：5 mm
湿度敏感等级：1标称负供电电压：-2.5 V
功能数量：2位置数：256
端子数量：14最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP14,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified电阻定律：LINEAR
最大电阻容差：20%最大电阻器端电压：2.75 V
最小电阻器端电压：-2.25 V座面最大高度：1.2 mm
子类别：Digital Potentiometers标称供电电压：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
标称温度系数：650 ppm/ °C温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40标称总电阻：10000 Ω
宽度：4.4 mmBase Number Matches：1

AD5252BRUZ10-RL7 数据手册

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Data Sheet  
AD5251/AD5252  
INTERFACE TIMING CHARACTERISTICS  
All input control voltages are specified with tR = tF = 2.5 ns (10% to 90% of 3 V) and timed from a voltage level of 1.5 V. Switching  
characteristics are measured using both VDD = 3 V and 5 V.  
Table 3. Interface Timing and EEMEM Reliability Characteristics (All Parts)1  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min Typ Max  
Unit  
INTERFACE TIMING  
SCL Clock Frequency  
tBUF Bus-Free Time Between Stop and Start  
tHD;STA Hold Time (Repeated Start)  
fSCL  
t1  
t2  
400  
kHz  
µs  
µs  
1.3  
0.6  
After this period, the first clock pulse is  
generated.  
tLOW Low Period of SCL Clock  
t3  
1.3  
0.6  
0.6  
µs  
µs  
µs  
µs  
ns  
ns  
ns  
µs  
tHIGH High Period of SCL Clock  
tSU;STA Set-up Time for Start Condition  
tHD;DAT Data Hold Time  
t4  
t5  
t6  
0
0.9  
tSU;DAT Data Set-up Time  
t7  
100  
tF Fall Time of Both SDA and SCL Signals  
tR Rise Time of Both SDA and SCL Signals  
tSU;STO Set-up Time for Stop Condition  
t8  
300  
300  
t9  
t10  
0.6  
EEMEM Data Storing Time  
EEMEM Data Restoring Time at Power-On2  
tEEMEM_STORE  
26  
300  
ms  
µs  
tEEMEM_RESTORE1 VDD rise time dependent. Measure  
without decoupling capacitors at VDD  
and VSS.  
EEMEM Data Restoring Time upon Restore  
Command or Reset Operation2  
EEMEM Data Rewritable Time (Delay Time  
After Power-On or Reset Before EEMEM  
Can Be Written)  
tEEMEM_RESTORE2 VDD = 5 V.  
300  
540  
µs  
µs  
tEEMEM_REWRITE  
FLASH/EE MEMORY RELIABILITY  
Endurance3  
Data Retention4  
100  
k cycles  
Years  
100  
1 Guaranteed by design; not subject to production test. See Figure 23 for location of measured values.  
2 During power-up, all outputs are preset to midscale before restoring the EEMEM contents. RDAC0 has the shortest EEMEM data restoring time, whereas RDAC3 has the longest.  
3 Endurance is qualified to 100,000 cycles per JEDEC Standard 22, Method A117, and measured at −40°C, +25°C, and +105°C; typical endurance at +25°C is 700,000  
cycles.  
4 Retention lifetime equivalent at junction temperature TJ = 55°C per JEDEC Std. 22, Method A117. Retention lifetime based on an activation energy of 0.6 eV derates  
with junction temperature in Flash/EE memory.  
Rev. D | Page 7 of 28  
 
 
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