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AD5252BRU10-RL7

更新时间： 2024-02-28 08:10:43
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 转换器电位器存储电阻器光电二极管
页数 文件大小 规格书
28页 1181K
描述
Dual 64-and 256-Position I2C Nonvolatile Memory Digital Potentiometers

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AD5252BRU10-RL7 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-05-01 14:56:11.162是否无铅： 含铅
是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP, TSSOP14,.25
针数：14Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：7.53其他特性：NONVOLATILE MEMORY; DEVICE SUPPORTS DUAL SUPPLY OPERATION
标称带宽：0.4 kHz控制接口：2-WIRE SERIAL
转换器类型：DIGITAL POTENTIOMETERJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e0长度：5 mm
湿度敏感等级：1标称负供电电压：-2.5 V
功能数量：2位置数：256
端子数量：14最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP14,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified电阻定律：LINEAR
最大电阻容差：20%最大电阻器端电压：2.75 V
最小电阻器端电压：-2.25 V座面最大高度：1.2 mm
子类别：Digital Potentiometers标称供电电压：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
标称温度系数：650 ppm/ °C温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30标称总电阻：10000 Ω
宽度：4.4 mmBase Number Matches：1

AD5252BRU10-RL7 数据手册

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AD5251/AD5252  
INTERFACE TIMING CHARACTERISTICS  
Guaranteed by design, not subject to production test. See Figure 3 for location of measured values. All input control voltages are  
specified with tR = tF = ꢀ.5 ns (10% to 90% of 3 V), and timed from a voltage level of 1.5 V. Switching characteristics are measured  
using both VDD = 3 V and 5 V.  
Table 3. Interface Timing and EEMEM Reliability Characteristics (All Parts).  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
INTERFACE TIMING  
SCL Clock Frequency  
tBUF Bus Free Time between STOP and  
START  
fSCL  
t1  
400  
kHz  
µs  
1.3  
tHD;STA Hold Time (Repeated START)  
t2  
After this period, the first clock pulse 0.6  
is generated  
µs  
tLOW Low Period of SCL Clock  
t3  
t4  
t5  
t6  
t7  
t8  
t9  
t10  
1.3  
0.6  
0.6  
0
µs  
µs  
µs  
µs  
ns  
ns  
ns  
µs  
tHIGH High Period of SCL Clock  
tSU;STA Setup Time For START Condition  
tHD;DAT Data Hold Time  
0.9  
tSU;DAT Data Setup Time  
100  
tF Fall Time of Both SDA and SCL Signals  
tR Rise Time of Both SDA and SCL Signals  
tSU;STO Setup Time for STOP Condition  
EEMEM Data Storing Time  
300  
300  
0.6  
tEEMEM_STORE  
tEEMEM_RESTORE1  
26  
300  
ms  
µs  
EEMEM Data Restoring Time at  
Power-On1  
VDD rise time dependent. Measure  
without decoupling capacitors at VDD  
and VSS.  
EEMEM Data Restoring Time Upon  
tEEMEM_RESTORE2  
VDD = 5 V  
300  
540  
µs  
µs  
Restore Command or RESET Operation1  
EEMEM Rewritable Time (delay time after tEEMEM_REWRITE  
Power On or RESET before EEMEM can  
be written)  
FLASH/EE MEMORY RELIABILITY  
Endurance2  
Data Retention3  
100  
kCycles  
Years  
100  
1 During power-up, all outputs preset to midscale before restoring to the final EEMEM contents. RDAC0 has the shortest, whereas RDAC3 has the longest EEMEM data  
restoring time.  
2 Retention lifetime equivalent at junction temperature TJ = 55°C per JEDEC Std. 22, Method A117. Retention lifetime based on an activation energy of 0.6 eV derates  
with junction temperature.  
3 When the part is not in operation, the SDA and SCL pins should be pulled to high. When these pins are pulled to low, the I2C interface at these pins conducts current of  
about 0.8 mA at VDD = 5.5 V and 0.2 mA at VDD = 2.7 V.  
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