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AD1674KR

更新时间： 2024-02-04 00:21:58
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 转换器光电二极管信息通信管理
页数 文件大小 规格书
12页 257K
描述
12-Bit 100 kSPS A/D Converter

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AD1674KR 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP28,.4针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.19
Is Samacsys：N最大模拟输入电压：10 V
最小模拟输入电压：-10 V最长转换时间：10 µs
转换器类型：ADC, SUCCESSIVE APPROXIMATIONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e3长度：17.9 mm
最大线性误差 (EL)：0.0122%湿度敏感等级：3
标称负供电电压：-15 V模拟输入通道数量：1
位数：12功能数量：1
端子数量：28最高工作温度：70 °C
最低工作温度：输出位码：BINARY
输出格式：PARALLEL, WORD封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5,+-12/+-15 V
认证状态：Not Qualified采样速率：0.111 MHz
采样并保持/跟踪并保持：SAMPLE座面最大高度：2.65 mm
子类别：Analog to Digital Converters最大压摆率：18 mA
标称供电电压：15 V表面贴装：YES
技术：BICMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：7.5 mm
Base Number Matches：1

AD1674KR 数据手册

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AD1674  
(for all grades TMIN to TMAX with V = +15 V ؎ 10% or +12 V ؎ 5%,  
CC  
V
LOGIC = +5 V ؎10%, V = –15 V ؎ 10% or –12 V ؎ 5%; V = 0.4 V,  
EE IL  
V = 2.4 V unless otherwise noted)  
IH  
SWITCHING SPECIFICATIONS  
CO NVERTER START TIMING (Figur e 1)  
J, K, A, B, Grades  
T Grade  
P aram eter  
Sym bol Min Typ Max Min Typ Max Units  
tHEC  
tHSC  
CE  
Conversion T ime  
8-Bit Cycle  
12-Bit Cycle  
__  
CS  
tC  
tC  
tDSC  
tHEC  
tSSC  
7
9
8
10  
200  
7
9
8
10  
225 ns  
µs  
µs  
tSSC  
ST S Delay from CE  
CE Pulse Width  
CS to CE Setup  
CS Low During CE High tHSC  
R/C to CE Setup tSRC  
R/C Low During CE High tHRC  
A0 to CE Setup tSAC  
A0 Valid During CE High tHAC  
_
R/C  
tSRC tHRC  
50  
50  
50  
50  
50  
0
50  
50  
50  
50  
50  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tSAC  
tHAC  
A
0
tC  
50  
50  
STS  
tDSC  
DB11 – DB0  
HIGH IMPEDANCE  
READ TIMING—FULL CO NTRO L MO D E ( Figur e 2)  
J, K, A, B, Grades  
T Grade  
Figure 1. Converter Start Tim ing  
P aram eter  
Sym bol Min Typ Max Min Typ Max Units  
1
Access T ime  
Data Valid After CE Low tHD  
tDD  
75  
150  
150  
75 150 ns  
252  
203  
252  
154  
ns  
ns  
150 ns  
CE  
__  
CS  
5
tHSR  
Output Float Delay  
CS to CE Setup  
R/C to CE Setup  
A0 to CE Setup  
tHL  
tSSR  
tSSR  
tSRR  
tSAR  
50  
0
50  
0
50  
0
50  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
_
R/C  
tSSR  
tHRR  
CS Valid After CE Low tHSR  
R/C High After CE Low tHRR  
0
0
A0 Valid After CE Low  
tHAR  
50  
50  
ns  
A
0
tSAR  
tHAR  
NOT ES  
1tDD is measured with the load circuit of Figure 3 and is defined as the time  
required for an output to cross 0.4 V or 2.4 V.  
tHS  
STS  
20°C to T MAX  
3At –40°C.  
4At –55°C.  
.
tHD  
HIGH  
IMPEDANCE  
HIGH  
IMP.  
5tHL is defined as the time required for the data lines to change 0.5 V when  
loaded with the circuit of Figure 3.  
DATA  
VALID  
DB11 – DB0  
tDD  
tHL  
All min and max specifications are guaranteed.  
Specifications subject to change without notice.  
Figure 2. Read Tim ing  
Test  
VCP  
CO UT  
Access T ime High Z to Logic Low  
Float T ime Logic High to High Z  
Access T ime High Z to Logic High  
Float T ime Logic Low to High Z  
5 V  
0 V  
0 V  
5 V  
100 pF  
10 pF  
100 pF  
10 pF  
I
OL  
D
OUT  
V
CP  
C
OUT  
I
OH  
Figure 3. Load Circuit for Bus Tim ing Specifications  
REV. C  
–5–  
12345678...12

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