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ACST830-8T PDF预览

ACST830-8T

更新时间： 2024-01-20 17:19:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置开关三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
13页 169K
描述
Overvoltage protected AC switch

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ACST830-8T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：1.67
Is Samacsys：N配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：2000 V/us最大直流栅极触发电流：30 mA
最大直流栅极触发电压：1 V最大维持电流：30 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：1 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：8 A
断态重复峰值电压：800 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

ACST830-8T 数据手册

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Characteristics  
ACST8  
Figure 4.  
On-state rms current versus  
ambient temperature (free air  
convection, fulle cycle)  
Figure 5.  
Relative variation of thermal  
impedance versus pulse duration  
K=[Z /R  
]
th th  
I
(A)  
T(RMS)  
1.0E+00  
1.0E-01  
1.0E-02  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
TO-220AB  
Zth(j-c)  
α=180°  
D2PAK  
Zth(j-a)  
Copper surface  
=
1cm2  
TO-220FPAB  
TO-220  
TO-220AB  
TO-220FPAB  
T
(°C)  
amb  
t (s)  
p
0
25  
50  
75  
100  
125  
1.0E-03  
1.0E-02  
1.0E-01  
1.0E+00 1.0E+01  
1.0E+02 1.0E+03  
Figure 6.  
Relative variation of gate trigger  
current (I ) and voltage (V  
Figure 7.  
Relative variation of holding  
)
current (I ) and latching current (I )  
GT  
GT  
H
L
versus junction temperature  
versus junction temperature  
IH, IL [Tj] / IH, IL [Tj=25 °C]  
IGT, VGT[Tj] / IGT, VGT[Tj=25 °C]  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
IGT Q3  
Typical values  
IGT Q1-Q2  
VGT Q1-Q2-Q3  
IL  
IH  
Tj(°C)  
Tj(°C)  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
Figure 8.  
Surge peak on-state current versus Figure 9.  
number of cycles  
Non repetitive surge peak on-state  
current and corresponding value of  
I t versus sinusoidal pulse width  
2
I
TSM(A)  
ITSM(A), I²t (A²s)  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
1000  
100  
10  
Tj initial=25 °C  
ITSM  
dI/dt limitation: 100 A/µs  
t=20ms  
One cycle  
Non repetitive  
Tj initial=25 °C  
I²t  
Repetitive  
C=105 °C  
T
sinusoidal pulse  
with width tP < 10 ms  
tP(ms)  
Number of cycles  
100  
1
1
10  
1000  
0.01  
0.10  
1.00  
10.00  
4/13  
Doc ID 7463 Rev 7  
1234567...13

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