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ACST830-8T

更新时间： 2024-02-19 05:00:12
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置开关三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
13页 169K
描述
Overvoltage protected AC switch

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ACST830-8T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：1.67
Is Samacsys：N配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：2000 V/us最大直流栅极触发电流：30 mA
最大直流栅极触发电压：1 V最大维持电流：30 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：1 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：8 A
断态重复峰值电压：800 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

ACST830-8T 数据手册

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Characteristics  
ACST8  
1
Characteristics  
Table 2.  
Symbol  
Absolute ratings (limiting values)  
Parameter  
TO-220FPAB Tcase = 91 °C  
Value  
Unit  
8
A
TO-220AB /  
D2PAK  
Tcase = 105 °C  
Tamb = 43 °C  
IT(RMS)  
On-state rms current (full sine wave)  
D2PAK with  
1 cm2 Cu  
2
A
Non repetitive surge peak on-state  
current Tj initial = 25 °C, full cycle sine  
wave  
F = 50 Hz  
F = 60 Hz  
tp = 20 ms  
tp = 16.7 ms  
tp = 10 ms  
80  
84  
42  
A
A
ITSM  
I2t  
Thermal constraint for fuse selection  
A2s  
Non repetitive on-state current critical rate of rise  
IG = 10 mA (tr < 100 ns)  
dI/dt  
Rate period > 1 mn  
100  
A/µs  
(1)  
VPP  
Non repetitive line peak pulse voltage  
Average gate power dissipation  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
2
0.1  
kV  
W
W
A
PG(AV)  
PGM  
IGM  
Tstg  
Tj  
Peak gate power dissipation (tp = 20 ms)  
Peak gate current (tp = 20 ms)  
10  
1.6  
Storage temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
260  
°C  
°C  
°C  
V
Operating junction temperature range  
Maximum lead soldering temperature during 10 s  
Tl  
TO-220FPAB  
VINS(RMS) Insulation rms voltage  
1500  
1. According to test described in IEC 61000-4-5 standard and Figure 18.  
Table 3.  
Symbol  
Electrical characteristics per switch  
Quadrant  
Test conditions  
Tj  
Value  
Unit  
(1)  
IGT  
VOUT = 12 V, RL = 33 Ω  
VOUT = 12V, RL = 33 Ω  
VOUT = VDRM, RL = 3.3 kΩ  
IOUT = 500 mA  
I - II - III  
I - II - III  
I - II - III  
25 °C  
25 °C  
125 °C  
25 °C  
25 °C  
125 °C  
125 °C  
25 °C  
Max  
Max  
Min  
Max  
Max  
Min  
Min  
Min  
30  
1.0  
0.2  
30  
mA  
V
VGT  
VGD  
V
(2)  
IH  
mA  
mA  
V/µs  
A/ms  
V
IL  
IG = 1.2 x IGT  
I - II - III  
50  
dV/dt(2)  
(dI/dt)c(2)  
VCL  
VOUT = 67% VDRM, gate open  
Without snubber  
2000  
8
ICL = 0.1 mA, tp = 1 ms  
850  
1. Minimum IGT is guaranteed at 5% of IGT(Max)  
2. For either positive or negative polarity of OUT pin with reference to COM pin  
2/13  
Doc ID 7463 Rev 7  
1234567...13

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