ACST1010-7FP

更新时间： 2024-02-04 23:13:46

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		电源电路开关电源管理电路局域网
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描述
Overvoltage protected AC switch

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ACST1010-7FP 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220AB, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	Factory Lead Time：	13 weeks
风险等级：	2.08	Is Samacsys：	N
可调阈值：	YES	模拟集成电路 - 其他类型：	POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代码：	R-XSFM-T3	JESD-609代码：	e3
信道数量：	1	功能数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

ACST1010-7FP 数据手册

Characteristics

ACST10

Characteristics

Table 2.

Symbol

Absolute ratings (limiting values)

Parameter

Value

Unit

TO-220AB

TO-220FPAB

F = 60 Hz

T_c= 105 °C

T_c= 84 °C

t_p= 16.7 ms

t_p= 20 ms

t_p= 10 ms

I_T(RMS)On-state rms current (full sine wave)

105

100

Non repetitive surge peak on-state current

I_TSM

T_jinitial = 25 °C, ( full cycle sine wave)

F = 50 Hz

I²t

I²t for fuse selection

A²s

Critical rate of rise on-state current

I_G= 2 x I_GT,(t_r≤ 100 ns)

Non repetitive line peak pulse voltage ⁽¹⁾

dI/dt

V_PP

F = 120 Hz

T_j= 125 °C

100

A/µs

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

0.1

P_G(AV)Average gate power dissipation

P_GM

I_GM

T_stg

T_j

Peak gate power dissipation (t_p= 20 µs)

Peak gate current (t_p= 20 µs)

1.6

Storage temperature range

-40 to +150

-40 to +125

260

°C

Operating junction temperature range

T_l

Maximum lead solder temperature during 10 ms (at 3 mm from case)

V_INS(RMS)Insulation rms voltage

T0-220FPAB

1500

1. According to test described in IEC 61000-4-5 standard and Figure 17

Table 3.

Symbol

Electrical characteristics

Value

ACST1010-7 ACST1035-7

Test conditions

Quadrant

T_j

Unit

(1)

I_GT

V_OUT= 12 V, R_L= 33 Ω

I - II - III

25 °C

125 °C

25 °C

125 °C

MAX.

MIN.

V_GT

V_GD

1.0

0.2

V_OUT= V_DRM, R_L= 3.3 Ω I - II - III

(2)

I_H

I_OUT= 500 mA

MAX.

MIN.

V/µs

I_L

I_G= 1.2 x I_GT

I - II - III

dV/dt⁽²⁾V_OUT= 67 % V_DRM, gate open

200

4.4

2000

(dV/dt)c = 15 V/µs

(dI/dt)c⁽²⁾

125 °C

25 °C

MIN.

A/ms

Without snubber

V_CL

I_CL= 0.1 mA, t_p= 1 ms

850

1. Minimum I_GTis guaranteed at 5% of I_GTmax

2. For both polarities of OUT pin referenced to COM pin

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Doc ID 15237 Rev 3

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