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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> AB40-C1000G
AB40-C1000G PDF预览

AB40-C1000G

更新时间： 2024-01-04 06:06:25
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2页 26K
描述
AVALANCHE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

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AB40-C1000G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.78Is Samacsys：N
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 V最大非重复峰值正向电流：40 A
元件数量：4最大输出电流：1 A
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NOBase Number Matches：1

AB40-C1000G 数据手册

 浏览型号AB40-C1000G的Datasheet PDF文件第2页 
AVALANCHE GLASS  
PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS  
AB40 - AB380/C 1000G  
PRV : 100 - 900 Volts  
Io : 1.0 Amperes  
WOB  
0.39 (10.0)  
0.31 (7.87)  
FEATURES :  
0.22 (5.59)  
* Glass passivated chip  
* High case dielectric strength  
* High surge current capability  
* High reliability  
0.18 (4.57)  
AC  
+
-
1.00 (25.4)  
MIN.  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
* Ideal for printed circuit board  
0.034 (0.86)  
0.028 (0.71)  
MECHANICAL DATA :  
* Case : Reliable low cost construction  
utilizing molded plastic technique  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Terminals : Plated leads solderable per  
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
* Polarity : Polarity symbols marked on case  
* Mounting position : Any  
AC  
-
0.22 (5.59)  
0.18 (4.57)  
AC  
+
0.22 (5.59)  
0.18 (4.57)  
Dimension in inches and (millimeter)  
* Weight : 1.29 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
°
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
AB40-  
AB80-  
AB125-  
AB250-  
AB380-  
RATING  
SYMBOL  
UNIT  
C1000G C1000G C1000G C1000G C1000G  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Input Voltage R+C -Load  
Maximum DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRMS  
100  
40  
200  
80  
300  
125  
300  
350  
800  
600  
250  
600  
700  
1150  
900  
380  
Volts  
Volts  
Volts  
Volts  
Volts  
VDC  
100  
150  
600  
200  
250  
700  
900  
Minimum Avalanche Breakdown Voltage at 100 mA  
Maximum Avalanche Breakdown Voltage at 100 mA  
Maximum Average Forward Current For  
VBO(min.)  
VBO(max.)  
1000  
1450  
°
IF(AV)  
1.2  
1.0  
Amps.  
Free Air Operation at Tc = 45 C R+L -Load  
C -Load  
Peak Forward Surge Current Single half sine wave  
°
IFSM  
I2t  
40  
10  
Amps.  
A2S  
on rated load (JEDEC Method) at TJ = 125 C  
°
Rating for fusing at TJ = 125 C ( t < 100 ms.)  
t
±
R
1.0  
2.0  
4.0  
8.0  
12.0  
200  
W
Maximum Series Resistor C-Load VRMS = 10%  
Maximum load Capacitance  
+ 50%  
-10%  
CL  
VF  
5000  
2500  
1000  
1.0  
500  
mF  
Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 1.0 Amp.  
Maximum Reverse Current at Rated Repetitive  
Volts  
°
IR  
RqJA  
TJ  
10  
m
A
°
C/W  
Peak Voltage per Diode  
Ta = 25 C  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
36  
- 50 to + 125  
- 50 to + 125  
°
°
C
C
TSTG  
Notes :  
1 ) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length P.C. Board with, 0.22" x 0.22" (5.5 x 5.5 mm)  
copper Pads.  
UPDATE : JUNE 19,1998  
12

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