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A733

更新时间： 2024-02-26 02:41:22
品牌 Logo 应用领域
KISEMICONDUCTOR 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 91K
描述
low speed switching

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A733 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.6
最大集电极电流 (IC)：0.1 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：90最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

A733 数据手册

  
PNP SILICON TRANSISTOR  
A733  
K I SEMICONDUCTOR  
█ APPLICATIONS  
The H733 is designed for driver stage of AF amplifier  
And low speed switching.  
TO-92  
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）  
T
stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃  
Tj——Junction Temperature…………………………………150℃  
PC——Collector Dissipation…………………………………250mW  
1―Emitter，E  
2―Base，B  
V
V
V
CBO——Collector-Base Voltage………………………………-60V  
CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………-50V  
EBO——Emitter-Base Voltage………………………………-5V  
3―Collector，C  
IC——Collector Current……………………………………-150mA  
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）  
Symbol  
Characteristics  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
HFE  
-60  
-50  
-5  
V
V
V
IC=-100μA, IE=0  
IC=-10mA, IB=0  
IE=-10μA，IC=0  
VCE=-6V, IC=-1mA  
IC=-100mA, IB=-10mA  
VCE=-6V, IC=-1mA  
VCB=-60V, IE=0  
90  
600  
VCE(sat)  
VBE(ON)  
ICBO  
Collector- Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Collector Cut-off Current  
-0.3 V  
-0.8 V  
-100 nA  
-100 nA  
MHz  
-0.5  
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
VEB=-5V, IC=0  
Current Gain-Bandwidth Product  
fT  
VCE=-6V, IC=-10mA  
180  
4.5  
VCB=-10V,  
IE=0  
，
Cob  
Output Capacitance  
pF  
f=1MHz  
█ hFE Classification  
R
Q
P
K
90—180  
135—270  
200—400  
300—600  
1

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