A733LT1

更新时间： 2024-02-10 13:36:01

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JCST		晶体晶体管光电二极管
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2页	128K
描述
TRANSISTOR（ PNP ）

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A733LT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

A733LT1 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT— 23

1. BASE

A733LT1

TRANSISTOR（ PNP ）

2. EMITTER

3. COLLECTOR

FEATURES

Power dissipation

P_CM: 0.2

W（Tamb=25℃）

2.4

1.3

Collector current

I_CM: -0.15

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -60

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

Unit : mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

-60

-50

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= -5 μA ， I_E=0

I_C= -1 mA , I_B=0

I_E= -50 μA， I_C=0

V_CB= -60 V , I_E=0

V_EB= -5 V , I_C=0

V_CE= -6 V, I_C= -1mA

I_C= -100mA, I_B=- 10mA

-0.1

475

-0.3

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

H_FE（1）

120

Collector-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

-0.18

V_CE= -6 V, I_C=-10mA

f = 30MHz

Transition frequency

MHz

CLASSIFICATION OF H_FE(1)

Rank

Range

120-200

200-475

MARKING

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