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A43L2616V-5.5VF

更新时间： 2024-02-29 04:43:49

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联笙电子 - AMICC		动态存储器
页数	文件大小	规格书
41页	1054K
描述
1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM

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A43L2616V-5.5VF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.48	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	183 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

A43L2616V-5.5VF 数据手册

A43L2616

1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM

Features

ꢀJEDEC standard 3.3V power supply

ꢀLVTTL compatible with multiplexed address

ꢀClock Frequency: 166MHz @ CL=3

143MHz @ CL=3

183Mhz @ CL=3

ꢀFour banks / Pulse RAS

ꢀMRS cycle with address key programs

- CAS Latency (2,3)

- Burst Length (1,2,4,8 & full page)

- Burst Type (Sequential & Interleave)

ꢀAll inputs are sampled at the positive going edge of the

(183Mhz is available only for –V grade)

ꢀBurst Read Single-bit Write operation

ꢀDQM for masking

ꢀAuto & self refresh

ꢀ64ms refresh period (4K cycle)

ꢀ54 Pin TSOP (II)

system clock

ꢀLow Self Refresh Current version for –V grade

General Description

The A43L2616 is 67,108,864 bits synchronous high data

rate Dynamic RAM organized as 4 X 1,048,576 words by

16 bits, fabricated with AMIC’s high performance CMOS

technology. Synchronous design allows precise cycle

control with the use of system clock. I/O transactions are

possible on every clock cycle. Range of operating

frequencies, programmable latencies allows the same

device to be useful for a variety of high bandwidth, high

performance memory system applications.

Pin Configuration

ꢀTSOP (II)

54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28

A43L2616V

9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27

(September, 2004, Version 3.1)

AMIC Technology, Corp.

123 4 5 6 7...41

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
A43L2616V-6	AMICC	1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM	获取价格
A43L2616V-6F	AMICC	1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM	获取价格
A43L2616V-6V	AMICC	1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM	获取价格
A43L2616V-6VF	AMICC	1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM	获取价格
A43L2616V-7	AMICC	1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM	获取价格
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