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A42U0616S-50

更新时间： 2024-09-29 22:12:47

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联笙电子 - AMICC		/
页数	文件大小	规格书
25页	279K
描述
1M X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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A42U0616S-50 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SOJ, SOJ42,.44	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J42
长度：	27.43 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	42	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ42,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	3.76 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.0002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.75 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.25 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm

A42U0616 Series

Preliminary

1M X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

Document Title

1M X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

Revision History

Rev. No. History

Issue Date

Remark

0.0

Initial issue

June 13, 2001

Preliminary

Preliminary (June, 2001, Version 0.0)

AMIC Technology, Inc.

12 3 4 5 6 7...25

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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