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A2F200M3D-FG256I

更新时间: 2024-02-21 20:39:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
192页 11779K
描述
Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA256, 1 MM PITCH, FBGA-256

A2F200M3D-FG256I 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:LBGA,Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.82
JESD-30 代码:S-PBGA-B256JESD-609代码:e0
长度:17 mm湿度敏感等级:3
可配置逻辑块数量:4608等效关口数量:200000
端子数量:256组织:4608 CLBS, 200000 GATES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LBGA
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):225可编程逻辑类型:FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.7 mm
最大供电电压:1.575 V最小供电电压:1.425 V
标称供电电压:1.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子面层:TIN LEAD/TIN LEAD SILVER
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:17 mmBase Number Matches:1

A2F200M3D-FG256I 数据手册

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