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A29L160UV-70

更新时间： 2024-02-03 20:28:26

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联笙电子 - AMICC		闪存
页数	文件大小	规格书
45页	429K
描述
2M X 8 Bit / 1M X 16 Bit CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

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A29L160UV-70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	最长访问时间：	70 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

A29L160UV-70 数据手册

A29L160 Series

Timing Waveforms for Alternate

Controlled Write Operation

PA for program

SA for sector erase

555 for chip erase

555 for program

2AA for erase

Data Polling

Addresses

tAS

tWH

WHWH1 or 2

BUSY

CPH

Data

I/O7

DOUT

tRH

A0 for program

55 for erase

PD for program

30 for sector erase

10 for chip erase

RESET

RY/BY

Note :

1. PA = Program Address, PD = Program Data, SA = Sector Address, I/

7O= Complement of Data Input, DOUT = Array Data.

2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.

Erase and Programming Performance

Parameter

Sector Erase Time

Typ. (Note 1)

Max. (Note 2)

Unit

sec

Comments

1.0

Excludes 00h programming

prior to erasure

Chip Erase Time

Byte Programming Time

Word Programming Time

300

500

Excludes system-level

overhead (Note 5)

Byte Mode

Word Mode

sec

Chip Programming Time

(Note 3)

7.2

21.6

sec

Notes:

1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, 3.0V VCC, 10,000 cycles. Additionally,

programming typically assumes checkerboard pattern.

2. Under worst case conditions of 90°C, VCC = 2.7V, 100,000 cycles.

3. The typical chip programming time is considerably less than the maximum chip programming time listed, since most bytes

program faster than the maximum byte program time listed. If the maximum byte program time given is exceeded, only

then does the device set I/O5 = 1. See the section on I/O5 for further information.

4. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bytes are programmed to 00h before erasure.

5. System-level overhead is the time required to execute the four-bus-cycle command sequence for programming. See

Table 9 for further information on command definitions.

6. The device has a guaranteed minimum erase and program cycle endurance of 10,000 cycles.

PRELIMINARY

(July, 2002, Version 0.0)

AMIC Technology, Inc.

1...36 37 383940 41 42...45

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
A29L160UV-90	AMICC	2M X 8 Bit / 1M X 16 Bit CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory	获取价格
A29L160V	AMICC	2M X 8 Bit / 1M X 16 Bit CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory	获取价格
A29L161ATG-60	AMICC	Flash, 1MX16, 60ns, PBGA48, 6 X 8 MM, TFBGA-48	获取价格
A29L161ATG-60F	AMICC	Flash, 1MX16, 60ns, PBGA48, 6 X 8 MM, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48	获取价格
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