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BC81725

更新时间： 2024-02-16 18:59:33

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描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BC81725 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.53	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC81725 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

BC817

ISSUE 5 – MARCH 2001

✪

PARTMARKING DETAILS

BC81716 –

BC81725 –

BC81740 –

6AZ

6BZ

6CZ

COMPLEMENTARY TYPE

– BC807

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

500

°C

I_B

100

Peak Base Current

I_BM

200

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

330

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector Cut-Off

Current

I_CBO

0.1

V_CB=20V, I_E=0

_CB=20V, I_E=0, T_amb=150°C

µA

Emitter Cut-Off Current I_EBO

µA

V_EB=5V, I_C=0

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

700

I_C=500mA, I_B=50mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(on)

1.2

I_C=500mA, V_CE=1V*

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

BC81716

BC81725

100

160

250

400

600

I_C=100mA, V_CE=1V*

I_C=500mA, V_CE=1V*

BC81740

All bands

Transition Frequency

f_T

200

5.0

MHz I_C=10mA, V_CE=5V

f=35MHz

Output Capacitance

C_obo

V_CB=10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions.

TBA

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