5秒后页面跳转
MIG30J901H PDF预览

MIG30J901H

更新时间: 2024-01-13 09:02:02
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
11页 770K
描述
INTEGRATED GTR MODULE

MIG30J901H 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-D12
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.81
Is Samacsys:N其他特性:3PHASE DIODE RECTIFIER, BRAKE AND INVERTER AVAILABLE IN A MODULE
最大集电极电流 (IC):30 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:COMPLEXJESD-30 代码:R-PUFM-D12
元件数量:7端子数量:12
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MIG30J901H 数据手册

 浏览型号MIG30J901H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MIG30J901H的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MIG30J901H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MIG30J901H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MIG30J901H的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MIG30J901H的Datasheet PDF文件第7页 

与MIG30J901H相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MIG30J904H TOSHIBA TRANSISTOR 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor

获取价格

MIG30J906HA TOSHIBA TRANSISTOR 35 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor

获取价格

MIG30J951H TOSHIBA INTEGRATED GTR MODULE

获取价格

MIG400J101H TOSHIBA TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT

获取价格

MIG400J2CSB1W MITSUBISHI High Power Switching Applications Motor Control Applications

获取价格

MIG400J2CSB1W TOSHIBA High Power Switching Applications Motor Control Applications

获取价格