S1206MH

更新时间： 2024-01-12 20:08:37

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅极局域网
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描述
The S12xxxH series of SCRs uses a high performance MESA

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S1206MH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.52	Is Samacsys：	N
标称电路换相断开时间：	100 µs	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	5 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	15 mA	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	0.005 mA	通态非重复峰值电流：	132 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	7600 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	12 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

S1206MH 数据手册

S12xxxH

SCR

FEATURES

I_T(RMS)= 12A

V_DRM= 200V to 800V

High surge current capability

DESCRIPTION

The S12xxxH series of SCRs uses a high

performance MESA GLASS PNPN technology.

These parts are intended for general purpose

applications.

TO220

non-insulated

(Plastic)

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

Parameter

Value

Unit

I_T(RMS)

RMS on-state current

Tc= 90°C

(180° conductionangle)

I_T(AV)

I_TSM

Average on-state current

(180° conductionangle)

7.6

Non repetitive surge peak on-state current

(T initial = 25°C )

tp = 8.3 ms

tp = 10 ms

132

120

I²t

A²s

I²t Value for fusing

Critical rate of rise of on-state current

dI/dt

100

A/µs

I_G= 100 mA

di_G/dt = 1 A/µs.

Storage and operating junction temperature range

T_stg

T_j

- 40, + 150

- 40, + 125

°C

Maximum lead temperature for soldering during 10s at

4.5mm from case

260

Voltage

Symbol

Parameter

Unit

V_DRM

V_RRM

Repetitive peak off-state voltage

T_j= 125°C

200

400

600

800

January 1995

1/5

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
S1206NH	STMICROELECTRONICS	12A, 800V, SCR, TO-220AB	获取价格
S1206S	GOOD-ARK	Chip Fuse	获取价格
S1206S_15	GOOD-ARK	Chip Fuse	获取价格
S1206S1	GOOD-ARK	Chip Fuse	获取价格
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S1206S1.5	GOOD-ARK	Chip Fuse	获取价格