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LH5P860N-80

更新时间： 2024-01-06 11:50:32

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夏普 - SHARP		存储内存集成电路静态存储器光电二极管 ISM频段
页数	文件大小	规格书
13页	110K
描述
CMOS 512K (64K x 8) Pseudo-Static RAM

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LH5P860N-80 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	80 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e6
长度：	20.6 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.3 mm	Base Number Matches：	1

LH5P860N-80 数据手册

LH5P860

CMOS 512K (64K × 8) Pseudo-Static RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The LH5P860 is a 512K-bit Pseudo-Static RAM or-

ganized as 65,536 × 8 bits. It is fabricated using sili-

con-gate CMOS process technology. With its built-in

oscillator, it is easy to refresh memories without an

external clock.

• 65,536 × 8 bit organization

• Access time: 80 ns (MAX.)

• Cycle time: 140 ns (MIN.)

• Single +5 V power supply

PIN CONNECTIONS

• Pin compatible with 1M standard SRAM

32-PIN DIP

32-PIN SOP

TOP VIEW

• Power consumption (MAX.):

Operating: 440 mW

RFSH

A₁₄

A₁₂

A₇

V_CC

A₁₅

Self refresh (TTL level): 5.5 mW

Self refresh (CMOS level): 2.75 mW

CE₂

R/W

• TTL compatible I/O

A₁₃

A₈

A₆

• 512 refresh cycles/8 ms (MAX.)

A₉

A₅

A₄

• Available for auto-refresh and self-refresh

A₁₁

A₃

A₂

modes

A₁₀

CE₁

I/O₇

I/O₆

I/O₅

I/O₄

I/O₃

• Packages:

A₁

32-pin, 600-mil DIP

32-pin, 525-mil SOP

A₀

I/O₀

I/O₁

I/O₂

GND

5P860-1

Figure 1. Pin Connections for DIP and

SOP Packages

12 3 4 5 6 7...13

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