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2SA2079

更新时间： 2024-01-09 02:32:59

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松下 - PANASONIC		/
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3页	465K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA2079 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SA2079 数据手册

Transistors

2SA2079

Silicon PNP epitaxial planar type

For general ampliﬁcation

Unit: mm

Complementary to 2SC5848

 Features

 High forward current transfer ratio h_FE

 Suitable for high-density mounting and douwsizing of the equipment for

ultraminiature leadless package

+0.01

−0.03

0.39

1.00±0.05

Package: 0.6 mm × 1.0 mm (hight 0.39 mm)

0.25±0.05

^0.25±0.051

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

–45

Unit

0.65±0.01

0.05±0.03

–45

–7

1: Base

2: Emitter

–100

–200

100

°C

3: Collector

ML3-N2 Package

Peak collector current

I_CP

Marking Symbol : 3D

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

T_j

125

Storage temperature

stg

–55 to +125

°C

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

–45

–7

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cut-off current (Base open)

Forward current transfer ratio

V_CBOI_C= –10 µA, I_E= 0

V_CEOI_C= –2 mA, I_B= 0

V_EBOI_E= –10 µA, I_C= 0

I_CBO

I_CEO

h_FE

V_CB= –20 V, I_E= 0

V_CE= –10 V, I_B= 0

V_CE= –10 V, I_C= –2 mA

– 0.1

–100

390

µA



180

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= –100 mA, I_B= –10 mA

– 0.2

– 0.5

f_T

V_CB= –10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= –10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

2.2

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date : December 2004

SJC00326AED

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SA2080_05	RENESAS	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
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