是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.55 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 85 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 1.8/2 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.34 mm |
最大待机电流: | 0.000005 A | 最小待机电流: | 1.2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.017 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.2 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
N02L6181AB8IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
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N02L63W2A | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W2AB25I | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W2AB25IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W2AB5I | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W2AB5IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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