5秒后页面跳转
1N4151 PDF预览

1N4151

更新时间: 2024-02-18 11:48:34
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 139K
描述
Diode Data

1N4151 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.61
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:75 V最大反向恢复时间:0.002 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N4151 数据手册

  

与1N4151相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N4151.TR TI 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

获取价格

1N4151.TR FAIRCHILD Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN

获取价格

1N4151/D7 VISHAY Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN

获取价格

1N4151/D8 VISHAY Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN

获取价格

1N4151/F2 VISHAY Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN

获取价格

1N4151_07 VISHAY Small Signal Fast Switching Diodes

获取价格