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| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.47 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JEDEC-95代码： | DO-4 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 250 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 12 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 50 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N1199BR | DIGITRON | Rectifier, Standard Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 12; Max TMS Bridge Inpu |
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| 1N1199BR-PBF | DIGITRON | Rectifier Diode |
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| 1N1199C | MICROSEMI | SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1199CE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 PI |
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| 1N1199CR | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 PI |
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| 1N1199CRE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 PI |
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