是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.78 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 5 A | 集电极-发射极最大电压: | 100 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-213AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 60 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5612A | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 |
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2N5612A | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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2N5612E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, METAL |
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2N5613 | ISC | Silicon PNP Power Transistors |
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2N5613 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
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2N5613 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device |
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