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2N5617

更新时间: 2024-02-13 00:37:51
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2页 229K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

2N5617 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.77外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):70
JEDEC-95代码:TO-204AAJESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):70 MHz
Base Number Matches:1

2N5617 数据手册

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