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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 28 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 56 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 140 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 26 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 220 ns | 标称接通时间 (ton)： | 43 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRGB8B60KPBF | INFINEON | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRGBC20 | INFINEON | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=9.0A) |
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| IRGBC20F | INFINEON | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=9.0A) |
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| IRGBC20FD2 | INFINEON | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRGBC20K | INFINEON | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.0A) |
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| IRGBC20KD2 | INFINEON | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, |
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