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GM76C256CLFW-55W

更新时间: 2024-01-25 21:39:51
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 144K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28

GM76C256CLFW-55W 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.71
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
其他特性:ALSO OPERATES WITH 5V SUPPLYJESD-30 代码:R-PDSO-G28
长度:18.3895 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.794 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:8.6865 mmBase Number Matches:1

GM76C256CLFW-55W 数据手册

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GM76C256CW Series  
32Kx8bit CMOS SRAM  
Document Title  
32K x8 bit 2.7~5.5V Low Power CMOS slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
Final  
00  
Revision History Insert  
Revised  
Jul.07.2000  
-
-
-
Datasheet format change  
PDIP package type insert  
Pin configuration change  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 00 / Jul. 2000  
Hyundai Semiconductor  

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