是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSOP, TSOP54,.46,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.18 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 6 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP | 封装等效代码: | TSOP54,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.002 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
GM72V66841ET-75 | ETC | x8 SDRAM |
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GM72V66841ET-7J | ETC | x8 SDRAM |
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GM72V66841ET-7K | HYNIX | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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GM72V66841ET-8 | ETC | x8 SDRAM |
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GM72V66841EXX | HYNIX | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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GM72V66841GLT-K | HYNIX | Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
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