5秒后页面跳转
2SJ517YYTL PDF预览

2SJ517YYTL

更新时间: 2024-02-05 05:47:24
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 晶体开关小信号场效应晶体管电源开关
页数 文件大小 规格书
8页 46K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

2SJ517YYTL 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.27配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:0.43 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ517YYTL 数据手册

 浏览型号2SJ517YYTL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ517YYTL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SJ517YYTL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ517YYTL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ517YYTL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ517YYTL的Datasheet PDF文件第7页 
2SJ517  
Silicon P Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-575B (Z)  
3rd. Edition  
Jun 1998  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 0.18 typ. (at VGS =–4V, ID =–1A)  
Low drive current  
High speed switching  
2.5V gate drive devices.  
Outline  
UPAK  
1
2
3
D
4
G
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
S

与2SJ517YYTL相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SJ517YYTL-E RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格

2SJ517YYTR HITACHI 暂无描述

获取价格

2SJ517YYTR RENESAS 暂无描述

获取价格

2SJ517YYTR-E RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格

2SJ517YYUL HITACHI Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

获取价格

2SJ517YYUR HITACHI Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

获取价格