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AT61162E-PM40MMN

更新时间： 2024-02-12 04:42:18

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爱特美尔 - ATMEL		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	638K
描述
Rad Hard 2-Mbit x 8 SRAM Cube

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AT61162E-PM40MMN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	28 X 11 MM, 14.30 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, DIL-64	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.56	最长访问时间：	40 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDSO-G64
长度：	28 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	64	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SSOP
封装等效代码：	SOP64,.54,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class N
座面最大高度：	14.6 mm	最大待机电流：	0.016 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	总剂量：	200k Rad(Si) V
宽度：	10.95 mm	Base Number Matches：	1

AT61162E-PM40MMN 数据手册

Features

• Organized as 2M x 8 bits

• Single 3.3V Power Supply

• Stacks of 16 SRAM 128K x 865609E Die

• Access Time: 40 ns

• Very Low Power Consumption

– Active: 100 mW (Typ)

– Standby: 1 mW (Typ)

• TTL-Compatible Inputs and Outputs

• Die Designed on 0.35 Micron Process

• No Single Event Latch-up below a LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²

• Tested up to a Total Dose of 200 krads (Si) according to MIL STD 883 Method 1019

• Wide Temperature Range 55°C to +125°C

• Built and Tested by 3D+, using 3D+ Die Stacking Technology

Rad Hard

2-Mbit x 8

SRAM Cube

Description

The AT61162E is a Rad Tolerant module, highly-integrated and very low-power

CMOS static RAM organized as 2M x 8 bits. It is organized with 16 banks of 1 Mbit.

Each bank has a 8-bit interface and is selected with 16 specific CS: 0 - 15. Banks are

selectable by pairs with 8 specific BS: 0 - 7.

AT61162E

This module takes full benefit of the 3D+ cube technology, and it is assembled and

tested by 3D+, using Atmel 65609E 1-Mbit SRAM die: it is built with 8 layers, each one

housing 2 dies. 10 nF decoupling capacitors are embedded for each memory die.

Preliminary

This module brings the solution to applications where fast computing is as mandatory

as low power consumption, for example: space electronics, portable instruments, or

embarked systems.

AT61162E is processed according to the methods of the latest revision of the MIL

PRF 38535, QML N (QML Q counterpart for plastic).

The package is a 64 gull wing pins dual in line, 11 mm wide, 28 mm long and 14.3 mm

height and 0.8 mm pin pitch.

Rev. 4157D–AERO–06/04

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AT615846	AMPHENOL	Board Connector, 30 Contact(s), 2 Row(s), Female, Right Angle, Solder Terminal, Receptacle	获取价格
AT620	POSEICO	PHASE CONTROL THYRISTOR	获取价格
AT-620	HRS	Fixed Attenuators (N,BNC,TNC)	获取价格
AT-620(40)	HRS	Fixed Attenuator, 0MHz Min, 6000MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE	获取价格
AT620S14	POSEICO	PHASE CONTROL THYRISTOR	获取价格
AT62-12-0166	AMPHENOL	Connector Accessory,	获取价格

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