生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.79 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 30 ns |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T32 | JESD-609代码: | e4 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
认证状态: | Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 5.89 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | GOLD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-8959847QZC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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5962-8959847QZC | MICROCHIP | Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32 |
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5962-8959847V6A | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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5962-8959847VTC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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5962-8959847VZC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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5962-89599012X | ETC | 8-Input Digital Multiplexer |
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