是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DIP, DIP32,.4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.46 | 最长访问时间: | 30 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 40.64 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class Q | 座面最大高度: | 4.32 mm |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | GOLD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-8959847V6A | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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5962-8959847VTC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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5962-8959847VZC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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5962-89599012X | ETC | 8-Input Digital Multiplexer |
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5962-8959901EA | TI | ACT SERIES, 8 LINE TO 1 LINE MULTIPLEXER, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 |
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5962-8959901EX | ETC | 8-Input Digital Multiplexer |
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