是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.29 | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | 10K WRITE/ERASE CYCLE ENDURANCE | 启动块: | BOTTOM |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 1,2,1,3 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.55 mm |
部门规模: | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流: | 0.00001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 11.43 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
AS29F002B-70SC | ETC | x8 Flash EEPROM |
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AS29F002B-70SI | ETC | x8 Flash EEPROM |
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AS29F002B-90SC | ETC | x8 Flash EEPROM |
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AS29F002B-90SI | ETC | x8 Flash EEPROM |
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AS29F002T-120SC | ETC | x8 Flash EEPROM |
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AS29F002T-120SI | ETC | x8 Flash EEPROM |
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