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93LC46-ISL

更新时间： 2024-02-18 18:26:13
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 176K
描述
1K/2K/4K 2.0V Microwire Serial EEPROM

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93LC46-ISL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：9 weeks
风险等级：5.24Is Samacsys：N
其他特性：3 WIRE INTERFACE; AUTOMATIC WRITE; ERAL AT 4.5V TO 6.0V备用内存宽度：8
最大时钟频率 (fCLK)：2 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
内存密度：1024 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：8
字数：64 words字数代码：64
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64X16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
串行总线类型：MICROWIRE最大待机电流：0.00003 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 ms写保护：SOFTWARE
Base Number Matches：1

93LC46-ISL 数据手册

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93LC46/56/66  
3.6  
ERASE/WRITE Disable and Enable  
(EWEN, EWDS)  
3.7  
READ  
The READ instruction outputs the serial data of the  
addressed memory location on the DO pin. A dummy  
zero bit precedes the 8-bit (x8 organization) or 16-bit  
(x16 organization) output string. The output data bits  
will toggle on the rising edge of the CLK and are stable  
after the specified time delay (TPD.). Sequential read is  
possible when CS is held high. The memory data will  
automatically cycle to the next register and output  
sequentially.  
The 93LC46/56/66 powers up in the ERASE/WRITE  
Disable (EWDS) state. All programming modes must  
be preceded by an ERASE/WRITE Enable (EWEN)  
instruction. Once the EWEN instruction is executed,  
programming remains enabled until an EWDS instruc-  
tion is executed or VCC is removed from the device. To  
protect against accidental data disturb, the EWDS  
instruction can be used to disable all ERASE/WRITE  
functions and should follow all programming opera-  
tions. Execution of a READ instruction is independent  
of both the EWDS and EWEN instructions.  
FIGURE 3-4: EWDS TIMING  
TCSL  
CS  
CLK  
DI  
• • •  
1
0
0
0
0
X
X
FIGURE 3-5: EWEN TIMING  
TCSL  
CS  
CLK  
DI  
• • •  
1
0
0
1
1
X
X
FIGURE 3-6: READ TIMING  
T
CSL  
CS  
CLK  
DI  
1
1
0
• A  
• • •  
A0  
n
TRI-STATE  
DO  
0
Dx  
• • •  
D0  
Dx*  
• • •  
D0  
Dx*  
• • •  
D0  
TRI-STATE is a registered trademark of National Semiconductor Incorporated.  
Tr-Sae is a tademak of NaionaSemiconduco.  
1997 Microchip Technology Inc.  
DS11168L-page 7  
1...45678910...12

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