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935317972515

更新时间： 2024-01-31 16:12:09
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恩智浦 - NXP /
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RF Power Field-Effect Transistor

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935317972515 技术参数

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935317972515 数据手册

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Table 8. Load Pull Performance — Maximum Power Tuning  
V
= 28 Vdc, I = 87 mA, Pulsed CW, 10 sec(on), 10% Duty Cycle  
DD  
DQ  
Max Output Power  
P1dB  
(1)  
Z
AM/PM  
()  
f
Z
Z
in  
()  
load  
()  
D
source  
()  
(%)  
60.2  
59.5  
60.1  
Gain (dB)  
21.0  
(dBm)  
41.2  
(W)  
13  
(MHz)  
2110  
2140  
2170  
1.23 -- j0.107  
1.08 -- j0.422  
1.12 -- j0.0337  
0.698 + j0.572  
0.877 + j0.537  
1.26 + j0.455  
5.85 + j3.49  
5.79 + j3.28  
5.57 + j3.12  
-- 1 2  
-- 1 3  
-- 11  
20.8  
41.2  
13  
20.7  
41.1  
13  
Max Output Power  
P3dB  
(2)  
Z
()  
AM/PM  
()  
f
Z
Z
()  
load  
D
source  
()  
in  
(%)  
59.6  
58.6  
59.8  
Gain (dB)  
18.7  
(dBm)  
42.0  
(W)  
16  
(MHz)  
2110  
2140  
2170  
1.23 -- j0.107  
1.08 -- j0.422  
1.12 -- j0.0337  
0.592 + j0.741  
0.807 + j0.78  
1.25 + j0.806  
6.75 + j2.96  
6.62 + j2.72  
6.47 + j2.61  
-- 1 8  
-- 2 0  
-- 1 7  
18.5  
42.0  
16  
18.4  
42.0  
16  
(1) Load impedance for optimum P1dB power.  
(2) Load impedance for optimum P3dB power.  
Z
Z
Z
= Measured impedance presented to the input of the device at the package reference plane.  
= Impedance as measured from gate contact to ground.  
= Measured impedance presented to the output of the device at the package reference plane.  
source  
in  
load  
Table 9. Load Pull Performance — Maximum Drain Efficiency Tuning  
V
= 28 Vdc, I = 87 mA, Pulsed CW, 10 sec(on), 10% Duty Cycle  
DD  
DQ  
Max Drain Efficiency  
P1dB  
(1)  
Z
AM/PM  
()  
f
Z
Z
in  
()  
load  
()  
D
source  
()  
(%)  
67.5  
66.6  
67.3  
Gain (dB)  
22.7  
(dBm)  
39.7  
(W)  
9
(MHz)  
2110  
2140  
2170  
1.23 -- j0.107  
1.08 -- j0.422  
1.12 -- j0.0337  
0.609 + j0.446  
0.736 + j0.434  
1.03 + j0.312  
3.56 + j6.04  
3.63 + j5.62  
3.37 + j5.39  
-- 2 0  
-- 2 1  
-- 1 9  
22.4  
39.9  
10  
9
22.5  
39.6  
Max Drain Efficiency  
P3dB  
(2)  
Z
()  
AM/PM  
()  
f
Z
Z
()  
load  
D
source  
()  
in  
(%)  
67.3  
65.9  
67.1  
Gain (dB)  
20.5  
(dBm)  
40.5  
(W)  
11  
(MHz)  
2110  
2140  
2170  
1.23 -- j0.107  
1.08 -- j0.422  
1.12 -- j0.0337  
0.512 + j0.627  
0.671 + j0.667  
1.05 + j0.666  
3.80 + j5.81  
3.77 + j5.41  
3.83 + j5.15  
-- 2 9  
-- 3 1  
-- 2 7  
20.3  
40.6  
11  
20.2  
40.6  
12  
(1) Load impedance for optimum P1dB efficiency.  
(2) Load impedance for optimum P3dB efficiency.  
Z
Z
Z
= Measured impedance presented to the input of the device at the package reference plane.  
= Impedance as measured from gate contact to ground.  
= Measured impedance presented to the output of the device at the package reference plane.  
source  
in  
load  
Input Load Pull  
Tuner and Test  
Circuit  
Output Load Pull  
Tuner and Test  
Circuit  
Device  
Under  
Test  
Z
Z
in  
Z
load  
source  
AFT27S010NT1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor, Inc.  
7
1...45678910...28

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