是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP22,.4 | 针数: | 22 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.89 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 35 ns |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T22 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 2304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 22 |
字数: | 256 words | 字数代码: | 256 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 75 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256X9 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP22,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.715 mm |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.185 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | TTL | 温度等级: | COMMERCIAL EXTENDED |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
93479ADCQR | TI | IC 256 X 9 STANDARD SRAM, 35 ns, CDIP22, CERAMIC, DIP-22, Static RAM |
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93479ADM | FAIRCHILD | Standard SRAM, 256X9, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22 |
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93479ADMQB | NSC | 256 x 9-Bit Static Random Access Memory |
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93479ADMQB | FAIRCHILD | Standard SRAM, 256X9, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22 |
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93479ADMQBQR | TI | 256X9 STANDARD SRAM, 45ns, CDIP22, CERAMIC, DIP-22 |
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93479AFMQB | FAIRCHILD | Standard SRAM, 256X9, 45ns, TTL, CDFP22, |
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