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934050320115

更新时间: 2024-09-29 14:47:23
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恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 156K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SMD, 4 PIN, FET RF Small Signal

934050320115 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.7
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:7 V最大漏极电流 (ID):0.03 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):0.04 pF
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4工作模式:DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

934050320115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BF1105; BF1105R; BF1105WR  
N-channel dual-gate MOS-FETs  
Product specification  
1997 Dec 02  
Supersedes data of 1997 Dec 01  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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