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933966340215

更新时间： 2024-09-28 21:03:47

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	277K
描述
TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC SMD, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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933966340215 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	PLASTIC SMD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.07
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	10 pF	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

933966340215 数据手册

PMBF170

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

Rev. 03 — 23 June 2000

Product speciﬁcation

1. Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

PMBF170 in SOT23.

2. Features

■ TrenchMOS™ technology

■ Very fast switching

■ Logic level compatible

■ Subminiature surface mount package.

3. Applications

■ Relay driver

■ High speed line driver

■ Logic level translator.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT23, simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

source (s)

drain (d)

03ab44

03ab30

SOT23

N-channel MOSFET

1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

12 3 4 5 6 7...13

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