是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最大直流栅极触发电流: | 10 mA |
最大直流栅极触发电压: | 1.5 V | JESD-609代码: | e3 |
最大漏电流: | 2 mA | 湿度敏感等级: | 1 |
通态非重复峰值电流: | 80 A | 最大通态电流: | 8000 A |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 断态重复峰值电压: | 400 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
8P4J-Z-E2 | NEC |
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Silicon Controlled Rectifier, 12.56A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, PLASTIC | |
8P4J-Z-E2-AZ | RENESAS |
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8P4J-Z-E2-AZ | |
8P4M | NEC |
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8 A THYRISTOR | |
8P4M-AZ | NEC |
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Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, | |
8P4M-Z-AZ | RENESAS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),8A I(T),TO-220AB | |
8P4M-Z-E1-AZ | RENESAS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),8A I(T),TO-220AB | |
8P4SM | ETC |
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8P2SM.8P2SMA.8P4SM.8P4SMA Data Sheet | Data Sheet[02/1988] | |
8P4SMA | NEC |
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8A MOLD ISOLATED SCR | |
8P512SEA0100C15 | WEDC |
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SRAM Card, 64KX8, 150ns, CMOS, CARD-68 | |
8P512SEA0100C25 | WEDC |
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SRAM Card, 64KX8, 250ns, CMOS, CARD-68 |