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85C72-I/SM

更新时间: 2024-02-18 18:03:35
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8页 411K
描述
I2C Serial EEPROM

85C72-I/SM 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8针数:8
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.87
其他特性:100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS最大时钟频率 (fCLK):0.1 MHz
数据保留时间-最小值:200耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DDDRJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0长度:5.28 mm
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:128 words
字数代码:128工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128X8输出特性:OPEN-DRAIN
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.03 mm
串行总线类型:I2C最大待机电流:0.0001 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.00425 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:5.207 mm
最长写入周期时间 (tWC):1 msBase Number Matches:1

85C72-I/SM 数据手册

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