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8402010AKILF

更新时间： 2024-01-15 18:04:18

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艾迪悌 - IDT		时钟发生器
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16页	316K
描述
FEMTOCLOCK™ CRYSTAL-TOLVDS/LVCMOS CLOCK GENERATOR

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8402010AKILF 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFN
包装说明：	VQCCN, LCC32,.2SQ,20	针数：	32
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.21
JESD-30 代码：	S-XQCC-N32	JESD-609代码：	e0
长度：	5 mm	湿度敏感等级：	3
端子数量：	32	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出时钟频率：	62.5 MHz
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	VQCCN
封装等效代码：	LCC32,.2SQ,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	主时钟/晶体标称频率：	25 MHz
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
子类别：	Clock Generators	最大压摆率：	25 mA
最大供电电压：	3.465 V	最小供电电压：	3.135 V
标称供电电压：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型：	CLOCK GENERATOR, OTHER	Base Number Matches：	1

8402010AKILF 数据手册

ICS8402010I

FEMTOCLOCK™ CRYSTAL-TO-LVDS/LVCMOS CLOCK GENERATOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

NOTE: Stresses beyond those listed under Absolute Maximum

Ratings may cause permanent damage to the device. These

ratings are stress specifications only. Functional operation of

product at these conditions or any conditions beyond those listed

in the DC Characteristics or AC Characteristics is not implied.

Exposure to absolute maximum rating conditions for extended

periods may affect product reliability.

Supply Voltage, V_DD

4.6V

Inputs, V_I

-0.5V to V_DD+ 0.5V

-0.5V to V_{DDO_A, _B}+ 0.5V

Outputs, I_O(LVCMOS)

Outputs, I_O(LVDS, V_{DDO_C}

)

Continuous Current

Surge Current

10mA

15mA

Operating Temperature Range, T^A-40°C to +85°C

Storage Temperature, T_STG

-65°C to 150°C

Package Thermal Impedance, θ_JA

Junction-to-Ambient

37.0°C/W (0 mps)

Package Thermal Impedance, θ_JB

Junction-to-Board

0.5°C/W

Package Thermal Impedance, θ_JC

Junction-to-Case

29.6°C/W

TABLE 3A. POWER SUPPLY DC CHARACTERISTICS, V_DD= V_{DDO_A}= V_{DDO_B}= V_{DDO_REF}= V_{DDO_C}= 3.3V 5ꢀ,TA = -40°C TO 85°C

Symbol

V_DD

Parameter

Test Conditions

Minimum

3.135

Typical

3.3

Maximum Units

Core Supply Voltage

Analog Supply Voltage

3.465

V_DD

V_DDA

V_DD– 0.15

3.3

V_{DDO_A,}

V_{DDO_B,}

V_{DDO_C,}

V_{DDO_REF}

Output Supply Voltage

3.135

3.3V

3.465

I_DD

Power Supply Current

Analog Supply Current

I_DDA

_{DDO_A}+ I_{DDO_B}

Output Supply Current

I_{DDO_C}+ I_{DDO_REF}

TABLE 3B. LVCMOS/LVTTL DC CHARACTERISTICS, V_DD= V_{DDO_A}= V_{DDO_B}= V_{DDO_REF}= 3.3V 5ꢀ,TA = -40°C TO 85°C

Symbol Parameter

Test Conditions

Minimum Typical Maximum Units

V_IH

V_IL

Input High Voltage

V_DD+ 0.3

Input Low Voltage

-0.3

0.8

OE0, OE1, OE2

V_DD= V_IN= 3.465V

µA

Input

High Current

I_IH

I_IL

150

OE0, OE1, OE2

V_DD= 3.465V, V_IN= 0V

-150

-5

Input

Low Current

Output

REF_OUT,

V_OH

V_OL

2.6

V_{DDO_X}= 3.465V

High Voltage; NOTE 1 QA[0:2], QB[0:2]

Output REF_OUT,

Low Voltage; NOTE 1 QA[0:2], QB[0:2]

0.5

NOTE: V_{DDO_X}denotes V_{DDO_A,}V_{DDO_B}and V_{DDO_REF.}

NOTE 1: Outputs terminated with 50Ω to V_{DDO_A, _B, _REF}/2. See Parameter Measurement Information,

Output Load Test Circuit diagram.

IDT^™/ ICS^™LVDS/LVCMOS CLOCK GENERATOR

ICS8402010AKI REV. A AUGUST 28, 2008

1 234 5 6 7...16

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