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833B

更新时间： 2022-11-26 05:28:49
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捷特科 - ZETEX 二极管变容二极管
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6页 142K
描述
SILICON 28V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES

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833B 数据手册

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830 series  
TUNING CHARACTERISTICS at Tamb = 25°C  
Capacitance (pF)  
PART  
Min Q  
VR=3V  
Capacitance Ratio  
C2 / C20  
VR=2V, f=1MHz  
f=50MHz  
at f=1MHz  
MIN.  
7.38  
7.79  
9.0  
NOM.  
8.2  
MAX.  
9.02  
MIN.  
MAX.  
5.8  
5.8  
6.0  
6.0  
6.0  
6.0  
6.5  
6.5  
6.5  
6.5  
6.5  
6.5  
6.5  
6.5  
6.5  
6.5  
829A  
829B  
830A  
830B  
831A  
831B  
832A  
832B  
833A  
833B  
834A  
834B  
835A  
835B  
836A  
836B  
250  
250  
300  
300  
300  
300  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
100  
100  
100  
100  
4.3  
4.3  
4.5  
4.5  
4.5  
4.5  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
8.2  
8.61  
10.0  
10.0  
15.0  
15.0  
22.0  
22.0  
33.0  
33.0  
47.0  
47.0  
68.0  
68.0  
100.0  
100.0  
11.0  
9.5  
10.5  
13.5  
14.25  
19.8  
20.9  
29.7  
31.35  
42.3  
44.65  
61.2  
64.6  
90.0  
95.0  
16.5  
15.75  
24.2  
23.1  
36.3  
34.65  
51.7  
49.35  
74.8  
71.4  
110.0  
105.0  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
Forward current  
SYMBOL  
MAX  
UNIT  
mA  
IF  
200  
330  
Power dissipation at Tamb = 25ЊC SOT23  
Ptot  
Ptot  
Ptot  
mW  
mW  
mW  
ЊC  
Power dissipation at Tamb = 25ЊC SOD323  
Power dissipation at Tamb = 25ЊC SOD523  
Operating and storage temperature range  
330  
250  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS at Tamb = 25°C  
PARAMETER  
CONDITIONS  
IR = 10uA  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Reverse breakdown voltage  
Reverse voltage leakage  
25  
V
nA  
VR = 20V  
0.2  
20  
Temperature coefficient of capacitance  
VR = 3V, f = 1MHz  
300  
400  
ppCm/ЊC  
ISSUE 6 - JANUARY 2002  
2
123456

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